中國報告大廳網(wǎng)訊，當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性調(diào)整，DRAM作為核心存儲芯片面臨供需格局重塑。最新調(diào)查顯示，2025年第一季度品牌廠商提前布局出貨策略已對供應(yīng)鏈產(chǎn)生顯著影響，為后續(xù)市場波動奠定基礎(chǔ)。

  一、庫存去化加速：品牌廠主動調(diào)節(jié)推動DRAM供應(yīng)鏈優(yōu)化

  中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年全球及中國DRAM行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展前景分析報告》指出，2025年第一季下游消費(fèi)電子、服務(wù)器及汽車制造等領(lǐng)域的主要品牌廠商普遍加快產(chǎn)品出貨節(jié)奏，通過戰(zhàn)略備貨應(yīng)對國際環(huán)境變化。這種前瞻性策略有效緩解了DRAM產(chǎn)業(yè)庫存壓力，為后續(xù)價格企穩(wěn)創(chuàng)造了有利條件。供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)顯示，截至第一季度末，渠道端DRAM庫存水位較去年峰值下降約18%，核心供應(yīng)商的成品庫存周轉(zhuǎn)效率提升超過25%。

  二、價格走勢呈現(xiàn)分化：Conventional DRAM與HBM市場表現(xiàn)差異顯著

  進(jìn)入第二季度后，常規(guī)型DRAM（Conventional DRAM）的價格調(diào)整幅度將明顯收窄，預(yù)計環(huán)比跌幅控制在0%5%區(qū)間。這一趨勢反映出市場需求端的謹(jǐn)慎回暖態(tài)勢，尤其是服務(wù)器和移動設(shè)備領(lǐng)域的采購需求逐步企穩(wěn)。

  相比之下，高帶寬存儲器（HBM）市場呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長勢頭。隨著HBM3e 12hi規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大，該細(xì)分領(lǐng)域?qū)诱wDRAM均價逆勢上揚(yáng)。預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，第二季度含HBM的綜合DRAM價格有望實現(xiàn)3%8%的環(huán)比漲幅，成為支撐產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的重要力量。

  三、技術(shù)迭代驅(qū)動結(jié)構(gòu)性增長：HBM3e成市場新增長極

  HBM3e產(chǎn)品的規(guī)?；瘧?yīng)用正在重塑高端存儲市場格局。其12層堆疊技術(shù)帶來的帶寬提升和能效優(yōu)化，使其在AI訓(xùn)練服務(wù)器、高性能計算及下一代圖形渲染領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)顯示，采用HBM3e的顯存模組出貨量將在第二季度環(huán)比增長40%以上，直接帶動相關(guān)DRAM產(chǎn)品溢價能力回升。

  總結(jié)來看，2025年DRAM市場呈現(xiàn)"底部修復(fù)+技術(shù)驅(qū)動"雙重特征。短期價格波動與長期結(jié)構(gòu)升級并行發(fā)展，品牌廠商的戰(zhàn)略調(diào)整加速了行業(yè)去庫存進(jìn)程，而HBM等先進(jìn)制程產(chǎn)品的商業(yè)化突破則為市場注入持續(xù)增長動能。投資者需密切關(guān)注供需動態(tài)平衡及新技術(shù)滲透率變化，在周期性波動中把握結(jié)構(gòu)性機(jī)會。

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