中國報告大廳網(wǎng)訊，截至2025年7月，全球集成電路市場規(guī)模已突破6000億美元，但供應鏈安全與技術自主化成為各國關注焦點。中國作為全球最大芯片消費市場，正加速推動關鍵材料的國產(chǎn)替代進程。在這一背景下，上海市奉賢區(qū)發(fā)布的《通用新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動方案（2025-2027）》聚焦集成電路配套材料領域，提出明確的發(fā)展路徑與投資方向，為行業(yè)提供了重要參考。

  一、集成電路配套材料需求激增：發(fā)展現(xiàn)狀與投資分析

  中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年中國集成電路行業(yè)市場深度研究與戰(zhàn)略咨詢分析報告》指出，根據(jù)行動計劃顯示，上海市奉賢區(qū)將以杭州灣開發(fā)區(qū)和工業(yè)綜合開發(fā)區(qū)為核心載體，重點布局濕化學品、高純靶材、電子氣體及半導體封裝材料等方向。當前全球60%的芯片制造材料依賴進口，其中高端靶材（如6N級）、光刻膠配套試劑（G3級以上）的技術壁壘尤為突出。

  數(shù)據(jù)顯示，2024年國內集成電路材料市場規(guī)模已達150億美元，但國產(chǎn)化率不足30%，尤其在先進制程領域差距顯著。奉賢區(qū)通過整合確信樂思、同創(chuàng)普潤等企業(yè)資源，計劃在未來三年內推動高純度靶材和試劑的量產(chǎn)能力提升至國際一線水平，并強化與長三角地區(qū)芯片制造企業(yè)的協(xié)同效應。

  二、高純度材料突破：6N級靶材與G3級試劑的國產(chǎn)化路徑

  行動方案明確指出，支持企業(yè)研發(fā)6N級以上高純金屬靶材（純度達99.9999%）及G3級以上高純試劑。這類材料是先進制程（如7nm以下芯片）的關鍵支撐，目前全球僅少數(shù)廠商具備量產(chǎn)能力。

  例如，在濕化學品領域，G3級試劑的雜質控制標準需低于10ppb，而國內企業(yè)通過工藝優(yōu)化已逐步縮小與國際差距；在靶材方面，6N級材料的應用將顯著提升芯片良率和性能穩(wěn)定性。奉賢區(qū)計劃通過政策傾斜和技術攻關，推動相關產(chǎn)品2027年前實現(xiàn)對海外產(chǎn)品的規(guī)模化替代。

  三、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)構建：同創(chuàng)普潤產(chǎn)業(yè)園項目的戰(zhàn)略意義

  為完善集成電路配套材料的產(chǎn)業(yè)集群，行動方案提出落地同創(chuàng)普潤新材料產(chǎn)業(yè)園，重點打造“研發(fā)-生產(chǎn)-檢測”全鏈條生態(tài)。該園區(qū)將整合原材料供應、工藝測試及設備驗證環(huán)節(jié)，降低企業(yè)協(xié)同成本，并吸引上下游投資超百億元。

  據(jù)測算，2025-2027年奉賢區(qū)集成電路材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模有望實現(xiàn)年均增長40%，帶動區(qū)域半導體產(chǎn)值突破300億元。此舉不僅強化了上海在芯片制造領域的核心地位，更對全國產(chǎn)業(yè)鏈自主可控起到示范作用。

  總結

  上海市奉賢區(qū)通過聚焦高純靶材、光刻膠配套材料等關鍵領域，系統(tǒng)性推進集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化替代進程。其戰(zhàn)略規(guī)劃既體現(xiàn)了對全球技術趨勢的精準把握，也凸顯了區(qū)域經(jīng)濟與國家戰(zhàn)略的深度協(xié)同。未來三年內，隨著新材料產(chǎn)能釋放和產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)完善，中國在高端芯片制造環(huán)節(jié)的自主能力將進一步提升，為全球半導體市場注入新動能。

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