由于 DRAM 供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù) 2016 下半年的價格漲勢,2017 年第一季 DRAM 平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB 模組的合約價最高已超過 25 美元,季漲幅超過三成,為 DRAM 史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的一季。
DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示,根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來,2017 年第一季標準型內(nèi)存價格持續(xù)攀高,平均漲幅接近三成,服務器內(nèi)存的漲幅略同,R-DIMM 32GB 模組已超過 200 美元大關(guān),漲幅同樣超過二成。移動式內(nèi)存也因智能手機在中國新年鋪貨的需求帶動下,不論是單顆顆粒 (discrete product)或 eMCP 解決方案,價格都同樣攀高,季漲幅估將超過一成。
移動式與服務器用內(nèi)存需求持續(xù)強勁,供貨吃緊將可能持續(xù)整年
據(jù)2016-2021年中國內(nèi)存行業(yè)市場需求與投資咨詢報告了解,2016 年起,由于中國品牌崛起帶動智能手機需求旺盛,DRAM 原廠陸續(xù)調(diào)降標準型內(nèi)存產(chǎn)出,轉(zhuǎn)作移動式內(nèi)存。在供貨減少下,DDR3 4GB 均價一路攀升至今,連帶讓服務器用內(nèi)存價格也呈現(xiàn)大漲,甚至移動式內(nèi)存在 2017 年第一季也有近 15% 的季漲幅,此外,繪圖用內(nèi)存與利基型內(nèi)存也都雨露均霑,季漲幅至少超過一成 。
展望 2017 年,各 DRAM 原廠資本支出較為保守,皆不傾向過分擴張產(chǎn)能,并以獲利導向為主要經(jīng)營策略。DRAMeXchange 預估,2017 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)的供給端位年成長率僅 19%, 遠低于往年至少二成甚至超過三成的年成長率,在 2017 年 DRAM 需求端年成長超過 22% 情況下,供不應求的嚴峻程度可見一斑。
從市場面觀察,由于 2017 年旗艦手機內(nèi)存搭載量將上看 8GB,加上中端手機多邁向搭載 4GB 規(guī)格,因此移動式內(nèi)存依然是 DRAM 產(chǎn)業(yè)需求成長最為強勁的類別,整體而言,2017 年智能手機內(nèi)存容量年成長將超過 30%,超越一般筆電使用的內(nèi)存規(guī)格。
此外,因各式云服務興起,服務器用內(nèi)存需求也顯著成長。DRAMeXchange 預估,2017 年服務器的平均內(nèi)存容量將達 130GB 以上,其中,中國市場的強勁需求力道高于世界水平,亦驅(qū)使 DRAM 廠在 2017 年的產(chǎn)能分配下,皆計劃將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往移動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存,持續(xù)使部分 DRAM 產(chǎn)品供貨吃緊甚至發(fā)生缺貨情形。現(xiàn)階段 DRAM 廠多采取制程轉(zhuǎn)進的方式滿足客戶需求,而不傾向增加產(chǎn)能,因此,2017 年供貨短缺的情況極有可能持續(xù)一整年度,有助于 DRAM 產(chǎn)業(yè)維持豐厚獲利。
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本文來源:Technews科技新報
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