中國報告大廳網(wǎng)訊,在全球半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下,光刻膠行業(yè)作為芯片制造的關鍵材料領域,正迎來前所未有的發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)。2023年,全球半導體光刻膠市場規(guī)模達到24.2億美元,占晶圓制造材料市場的5.8%。然而,受多重因素影響,2023年市場規(guī)模較上一年下降了7.8%,這是自2016年以來首次出現(xiàn)負增長。盡管如此,隨著5G通信、人工智能、智能汽車等新興技術的快速發(fā)展,光刻膠行業(yè)仍具有巨大的增長潛力。本文將深入分析光刻膠行業(yè)的現(xiàn)狀、競爭格局以及未來發(fā)展趨勢。
《2025-2030年中國光刻膠行業(yè)市場調(diào)查研究及投資前景分析報告》指出,光刻膠是一種對紫外光、極紫外光、電子束等高能量光照敏感的有機化合物材料,主要用于半導體芯片制造中的光刻工藝。光刻膠在曝光后其溶解度會發(fā)生變化,從而實現(xiàn)圖案的精準轉(zhuǎn)移。光刻膠的復雜配方體系由感光樹脂、增感劑和溶劑組成,其研發(fā)需要大量的技術積累和經(jīng)驗。根據(jù)曝光光源的波長不同,光刻膠可分為g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、ArFi(等效134nm)和最先進的EUV(13.5nm)光刻膠。其中,KrF和ArFi光刻膠的市場需求較大,而EUV光刻膠則代表了當前最先進的技術水平。
2023年,全球半導體光刻膠市場規(guī)模為24.2億美元,占晶圓制造材料市場的5.8%。市場規(guī)模較2022年的26.2億美元下降了7.8%,這是自2016年以來首次出現(xiàn)負增長。從地域分布來看,亞太地區(qū)占據(jù)了全球光刻膠市場的82%,其中韓國、中國大陸和中國臺灣是主要市場,分別占比28.1%、23.7%和20.2%。日本市場占比10%,排名第四。這種分布與全球半導體產(chǎn)能集中在亞太地區(qū)密切相關。
全球光刻膠市場由七家企業(yè)主導,占據(jù)了九成以上的市場份額。這七家企業(yè)分別是日本東京應化、合成橡膠、信越化學、美國陶氏化學、日本住友化學、富士膠片和韓國東進世美肯。其中,日本企業(yè)占據(jù)了絕對壟斷地位,五家日本企業(yè)約占全球市場份額的77%。日本在高端光刻膠技術如KrF、ArF和EUV光刻膠的量產(chǎn)上表現(xiàn)突出,特別是在EUV光刻膠領域,日本壟斷了全球90%以上的市場。從專利布局來看,日本、韓國和美國是全球光刻膠專利申請的三大重點國家,其中日本的專利申請量占全球的35.3%,韓國和美國分別為15.9%和12.5%。
(一)政治化影響愈發(fā)明顯
近年來,隨著大國博弈的加劇,光刻膠行業(yè)也受到了越來越多的關注。2019年,日本政府對韓國實施半導體材料出口管制,包括光刻膠在內(nèi)。作為應對,韓國加快了光刻膠的研發(fā),并取得了顯著進展。2022年,韓國東進世美肯的EUV光刻膠成功導入三星電子的芯片工藝生產(chǎn)線。盡管日本隨后解除了對韓出口限制,但韓國仍在推進光刻膠的自主研發(fā),并計劃到2030年實現(xiàn)50%芯片材料供應本土化。2023年,日本《外匯法》修正案生效,對包括光刻膠在內(nèi)的半導體制造設備和材料實施出口管制,這可能使中國進口先進光刻膠面臨更嚴格的審批流程。
(二)EUV光刻膠的持續(xù)研發(fā)
光刻膠行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析指出,盡管日本在高端光刻膠領域占據(jù)壟斷地位,但其他國家和企業(yè)也在努力突破。韓國除了東進世美肯的EUV光刻膠外,Youngchang Chemical和SK材料也在研發(fā)相關產(chǎn)品,但尚未通過可靠性驗證。此外,全球科研團隊也在探索新型光刻技術和光刻膠材料,以繞開荷蘭ASML的EUV光刻機技術。例如,俄羅斯計劃將光刻機工作波長從13.5nm減少到11.2nm,并可能使用硅基抗蝕劑。日本則押寶納米壓印技術,2023年佳能正式推出納米壓印半導體設備,標志著該技術在商業(yè)化進程中的重要一步。國內(nèi)廠商也在積極布局納米壓印膠的研發(fā),逐步實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。
光刻膠作為半導體芯片制造的核心材料,其發(fā)展對全球半導體行業(yè)具有重要影響。盡管2023年全球光刻膠市場首次出現(xiàn)負增長,但隨著全球經(jīng)濟復蘇和半導體行業(yè)的復蘇,光刻膠市場有望迎來新的增長點。未來,光刻膠行業(yè)將面臨政治化影響、技術突破和新型光刻技術的挑戰(zhàn)與機遇。各國和企業(yè)需要加強研發(fā),突破技術瓶頸,以應對日益復雜的技術競爭和市場環(huán)境。
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