隨著節(jié)能產(chǎn)品需求的增多，電源管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中，而且在整機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國(guó)功率器件市場(chǎng)近年來(lái)一直保持快速增長(zhǎng)，近五年來(lái)，市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)27.8%，是半導(dǎo)體產(chǎn)品中市場(chǎng)發(fā)展相對(duì)較快的產(chǎn)品。

     圖1 2003-2007年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模

　　功率器件主要分為功率分立器件以及電源管理IC兩大類產(chǎn)品。從市場(chǎng)份額來(lái)看，電源管理IC大概占40%，而功率分立器件則占60%，二者廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子產(chǎn)品之中。 

　　電源管理芯片方面，經(jīng)歷了多年的快速發(fā)展之后，由于產(chǎn)品庫(kù)存調(diào)整、用量增長(zhǎng)率放緩以及產(chǎn)品價(jià)格下降等諸多因素的影響，市場(chǎng)發(fā)展在2007年有所放緩，預(yù)計(jì)2007年中國(guó)電源管理芯片的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將下降到15%左右，近些年來(lái)，增長(zhǎng)率首次跌落到20%以下，然而由于2007年的市場(chǎng)基數(shù)處于一個(gè)較低的水平以及未來(lái)應(yīng)用還將穩(wěn)定增加，因此中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)有望在2008年重新回到20%的增長(zhǎng)水平。

      圖2 2003-2007年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模

　　從電源管理芯片的產(chǎn)品類型來(lái)看，應(yīng)用最多的兩類產(chǎn)品依然是LDO和DC-DC產(chǎn)品，但這兩類產(chǎn)品在2007年同時(shí)受到價(jià)格下降以及用量增速放緩的影響，在電源管理芯片中的市場(chǎng)份額稍有下降。同時(shí)，得益于手機(jī)等便攜產(chǎn)品應(yīng)用增加的推動(dòng)，2007年P(guān)MU和電池管理等產(chǎn)品的市場(chǎng)增長(zhǎng)率相對(duì)較高，而且未來(lái)PMU、電池管理以及熱拔插等產(chǎn)品的市場(chǎng)份額將會(huì)有所提高。 

　　電源管理芯片主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域，此外，汽車電子領(lǐng)域雖然所占市場(chǎng)份額較小，但卻是發(fā)展最快的領(lǐng)域。從未來(lái)的發(fā)展來(lái)看，汽車電子領(lǐng)域仍將是發(fā)展最快的領(lǐng)域，其市場(chǎng)份額在未來(lái)幾年將快速提高，此外，網(wǎng)絡(luò)通信也將在3G等應(yīng)用的帶動(dòng)下保持快速的發(fā)展，其市場(chǎng)份額也將穩(wěn)步提高，消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)和工業(yè)控制領(lǐng)域的發(fā)展則會(huì)相對(duì)穩(wěn)定。


 圖3 2007年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)

　　技術(shù)方面，更高的集成度、更高的功率密度、更強(qiáng)的耐壓、耐流能力以及更高的能效等方面一直是電源管理芯片的發(fā)展方向，技術(shù)的不斷更新和發(fā)展也將是推動(dòng)電源管理芯片市場(chǎng)發(fā)展的主要因素之一。 

　　從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，電源管理芯片無(wú)論在市場(chǎng)還是技術(shù)，歐美廠商都占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，尤其是美國(guó)廠商，雖然ST、NXP和Infineon三家歐洲大廠也有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，但是電源管理芯片只是它們眾多產(chǎn)品線中的一個(gè)而已，而美國(guó)廠商則擁有NS、TI、Fairchild、On Semiconductor、IR和Maxim等眾多廠商，而且多為專注與電源管理領(lǐng)域的廠商。電源管理芯片市場(chǎng)上歐美強(qiáng)勢(shì)的格局已經(jīng)持續(xù)很多年，而且從目前來(lái)看，這種格局在未來(lái)幾年還將繼續(xù)。雖然歐美廠商在技術(shù)和市場(chǎng)上都保持優(yōu)勢(shì)，但并不代表中國(guó)以及其它地區(qū)的新進(jìn)入者沒有機(jī)會(huì)，目前中低端電源管理芯片的技術(shù)門檻對(duì)眾多有能力的設(shè)計(jì)公司來(lái)講已經(jīng)不是問(wèn)題，在中國(guó)就有圣邦微電子、長(zhǎng)運(yùn)通、龍鼎、明微和華潤(rùn)矽威等一批從事電源管理芯片研發(fā)的企業(yè)，雖然產(chǎn)品基本限定在LDO、DC-DC和LED驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品中，但畢竟已經(jīng)在市場(chǎng)取得一定成功、客觀的說(shuō)，目前這些新進(jìn)入者無(wú)法對(duì)歐美廠商形成太大威脅，無(wú)論在產(chǎn)品線的完整性還是產(chǎn)品技術(shù)方面都明顯落后于領(lǐng)先廠商，但是這些廠商在電源管理芯片的中低端領(lǐng)域已經(jīng)具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)如果發(fā)展良好，在某些領(lǐng)域和產(chǎn)品應(yīng)用中可以和歐美領(lǐng)先廠商一較高下。 

　　在功率分立器件市場(chǎng)中，IGBT和MOSFET市場(chǎng)都將保持著較高的增長(zhǎng)速度，但由于IGBT產(chǎn)品主要應(yīng)用在高壓產(chǎn)品中，市場(chǎng)應(yīng)用受到一定的限制，所以市場(chǎng)規(guī)模要小于MOSFET。而受到消費(fèi)電子以及高輸出電流和高性能要求的計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的帶動(dòng)，低壓MOSFET市場(chǎng)在未來(lái)將保持著比較快的增長(zhǎng)趨勢(shì)。對(duì)于高壓MOSFET來(lái)說(shuō)，電源的高能效要求則是影響產(chǎn)品未來(lái)發(fā)展的主要因素。而隨著汽車中IC用量的逐步增多，為了滿足這些日益增多的IC對(duì)電源的需求，MOSFET的用量也呈現(xiàn)出上升趨勢(shì)。MOSFET在電動(dòng)工具等產(chǎn)品中的應(yīng)用也將推動(dòng)工業(yè)控制領(lǐng)域的發(fā)展。 

　　從工藝技術(shù)上看，由于Trench技術(shù)能夠有效地降低產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻，并且具有較大電流處理能力，所以近年來(lái)Trench MOSFET在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域中發(fā)展快速。目前，Trench MOSFET技術(shù)在低壓MOSFET產(chǎn)品市場(chǎng)中已被廣泛接受，具有很高的市場(chǎng)占有率。在高壓MOSFET市場(chǎng)上，雖然隨著Trench MOSFET工藝技術(shù)的不斷提升產(chǎn)品的耐壓能力有了一定的提高，但相較于Planar產(chǎn)品,Trench MOSFET的耐壓能力仍有一定的差距。整體上來(lái)看，在高壓MOSFET市場(chǎng)上，Planar技術(shù)仍有一定的發(fā)展空間。未來(lái)，含有高端工藝的平面技術(shù)將會(huì)是高壓MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)。

　　無(wú)論是電源管理芯片還是功率分立器件，未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展都很難達(dá)到近五年來(lái)的增長(zhǎng)速度，直接因素就是未來(lái)整機(jī)制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)的減緩，以及眾多整機(jī)的增長(zhǎng)率在經(jīng)歷了多年的高速增長(zhǎng)之后將會(huì)逐漸飽和，因而造成的下游整機(jī)產(chǎn)量增長(zhǎng)的減緩，整機(jī)產(chǎn)量增長(zhǎng)率的減緩將直接導(dǎo)致功率器件需求量增長(zhǎng)的減緩，從而影響功率器件市場(chǎng)的發(fā)展，未來(lái)5年，預(yù)計(jì)中國(guó)功率器件的復(fù)合增長(zhǎng)率將在15%左右。

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