中國報告大廳網(wǎng)訊，在半導(dǎo)體行業(yè)，晶圓制造技術(shù)的進(jìn)步始終是推動整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心動力。近日，英特爾在其晶圓代工大會上公布了多項(xiàng)重大技術(shù)突破，展示了其在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和封裝技術(shù)上的最新進(jìn)展。從14A工藝節(jié)點(diǎn)的開發(fā)到18A節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險生產(chǎn)，英特爾正通過一系列創(chuàng)新舉措，重新定義半導(dǎo)體制造的未來。

  一、14A工藝節(jié)點(diǎn)：高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)的首次應(yīng)用

  中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年全球及中國晶圓行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展前景分析報告》指出，英特爾的14A工藝節(jié)點(diǎn)是繼18A之后的下一代產(chǎn)品，目前已在開發(fā)中。這一節(jié)點(diǎn)將成為業(yè)界首個采用高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)的工藝，預(yù)計于2027年問世。14A節(jié)點(diǎn)不僅引入了第二代PowerVia背面供電技術(shù)，還采用了RibbonFET 2環(huán)繞柵極技術(shù)，進(jìn)一步提升了芯片的性能和能效。

  此外，14A工藝還將引入“turbo cell”技術(shù)，旨在優(yōu)化芯片的速度和功耗平衡。通過在設(shè)計模塊內(nèi)組合高性能單元和節(jié)能單元，設(shè)計人員可以針對特定應(yīng)用實(shí)現(xiàn)最佳的性能和功耗表現(xiàn)。英特爾已與多家主要客戶共享了14A工藝節(jié)點(diǎn)的早期工藝設(shè)計套件（PDK），并有多家客戶計劃使用該節(jié)點(diǎn)制造芯片。

  二、18A工藝節(jié)點(diǎn)：風(fēng)險生產(chǎn)啟動，量產(chǎn)在即

  英特爾的18A工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段，標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)的首批小批量生產(chǎn)正式啟動，大批量生產(chǎn)計劃于今年晚些時候啟動。18A節(jié)點(diǎn)是業(yè)界首個同時采用PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)和RibbonFET環(huán)柵晶體管的產(chǎn)品化節(jié)點(diǎn)，顯著提升了芯片的密度和性能。

  18A節(jié)點(diǎn)的每瓦性能比英特爾3工藝節(jié)點(diǎn)提高了15%，芯片密度提高了30%。此外，PowerVia技術(shù)將密度和單元利用率提高了5%至10%，并降低了電阻供電下降，使ISO功率性能提高了高達(dá)4%。RibbonFET技術(shù)則通過精確控制電流，進(jìn)一步縮小了芯片元件體積，降低了功耗。

  三、18AP和18APT：高性能與3D堆疊的擴(kuò)展

  英特爾還推出了18A節(jié)點(diǎn)的多個擴(kuò)展版本，包括18AP和18APT。18AP節(jié)點(diǎn)針對高性能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，每瓦性能提升了5%至10%，設(shè)計規(guī)則與18A節(jié)點(diǎn)兼容，簡化了客戶的設(shè)計流程。18APT節(jié)點(diǎn)則專為下一代3DIC設(shè)計而開發(fā)，支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)，提供了無與倫比的可擴(kuò)展性和集成度。

  Foveros Direct 3D技術(shù)通過無凸塊銅對銅鍵合，將芯片與硅通孔（TSV）融合在一起，實(shí)現(xiàn)了超高帶寬和低功耗互連。英特爾的實(shí)施方案將采用小于5微米的間距，顯著提升了互連密度。這一技術(shù)將使英特爾在封裝技術(shù)領(lǐng)域與競爭對手展開更激烈的競爭。

  四、成熟節(jié)點(diǎn)：16nm和12nm的持續(xù)推進(jìn)

  除了先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，英特爾還在多個成熟節(jié)點(diǎn)上持續(xù)推進(jìn)。16nm節(jié)點(diǎn)已在晶圓廠完成流片，利用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計工具和PDK，為FinFET技術(shù)提供了理想的過渡路徑。英特爾還與合作伙伴合作開發(fā)12nm節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)將于2027年開始在亞利桑那州的晶圓廠生產(chǎn)，主要面向移動通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。

  五、先進(jìn)封裝技術(shù)：Foveros和EMIB的創(chuàng)新應(yīng)用

  英特爾的先進(jìn)封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。Foveros Direct 3D技術(shù)通過在有源基片上進(jìn)行3D芯片堆疊，實(shí)現(xiàn)了卓越的每比特功率性能。EMIB 3.5D技術(shù)則在一個封裝中嵌入了多芯片互連橋和Foveros，提供了靈活的異構(gòu)系統(tǒng)集成方案。這些技術(shù)將為客戶提供更多高效靈活的選擇，滿足未來高帶寬內(nèi)存和復(fù)雜功能需求。

  總結(jié)

  英特爾通過14A和18A工藝節(jié)點(diǎn)的開發(fā)，以及18AP和18APT節(jié)點(diǎn)的擴(kuò)展，展示了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。從高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)的首次應(yīng)用到Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的創(chuàng)新，英特爾正通過一系列技術(shù)突破，重新定義晶圓制造的未來。隨著16nm和12nm節(jié)點(diǎn)的持續(xù)推進(jìn)，以及先進(jìn)封裝技術(shù)的廣泛應(yīng)用，英特爾將繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新，為客戶提供更高效、更靈活的解決方案。

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