中國報告大廳網(wǎng)訊，——高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備采購成本達(dá)4億美元/臺，韓國政府零關(guān)稅政策助力產(chǎn)能升級

  2025年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭格局中，光刻機(jī)作為核心制造裝備的戰(zhàn)略價值持續(xù)凸顯。隨著三星電子、SK海力士等企業(yè)加速推進(jìn)1.4nm及以下制程研發(fā)，高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)的采購與應(yīng)用成為決定技術(shù)代差的關(guān)鍵變量。本文基于全球頭部廠商產(chǎn)能規(guī)劃數(shù)據(jù)，解析先進(jìn)光刻設(shè)備對芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈的影響路徑。

  一、高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)驅(qū)動先進(jìn)制程競賽：三星與SK海力士的產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)

  在2025年第三季度數(shù)據(jù)顯示，韓國半導(dǎo)體制造商正通過戰(zhàn)略性投資搶占技術(shù)高地。據(jù)產(chǎn)業(yè)觀察，三星電子已在華城工廠部署首臺EXE:5000型高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，計劃于2027年實現(xiàn)1.4nm芯片量產(chǎn)，較當(dāng)前主流的2nm制程工藝提升約30%晶體管密度。該設(shè)備單臺采購成本高達(dá)4億美元，其應(yīng)用將直接決定三星能否在良率爬坡階段超越臺積電的競品節(jié)點。

  SK海力士則率先完成M16晶圓廠EXE:5200B型光刻機(jī)的量產(chǎn)導(dǎo)入，通過簡化現(xiàn)有EUV制程架構(gòu)，實現(xiàn)DRAM存儲芯片能效與成本競爭力的雙重突破。兩家企業(yè)的技術(shù)路線表明：在3nm以下先進(jìn)節(jié)點競爭中，高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)已從"選配裝備"升級為"生存必需品"。

  二、政府政策助力產(chǎn)業(yè)鏈降本增效：零關(guān)稅政策覆蓋關(guān)鍵耗材

  韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部最新宣布的稅收調(diào)整方案顯示，針對半導(dǎo)體制造核心材料（包括碳基復(fù)合材料、研磨輪等）實施進(jìn)口零關(guān)稅政策，預(yù)計將為本土廠商節(jié)省數(shù)千億韓元成本。這一舉措精準(zhǔn)呼應(yīng)了光刻機(jī)配套設(shè)備的降本需求——以ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)組件為例，其精密光學(xué)系統(tǒng)對環(huán)境控制材料的要求極高，關(guān)稅減免可直接降低約15%的運營維護(hù)支出。

  值得注意的是，政策紅利不僅覆蓋高端光刻設(shè)備本身，更延伸至晶圓制程中的輔助耗材環(huán)節(jié)。此舉將顯著緩解企業(yè)在應(yīng)對ASML設(shè)備高價采購時的資金壓力，為2025-2027年間的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃提供關(guān)鍵支撐。

  三、全球競爭格局演變：臺積電與三星的技術(shù)代差擴(kuò)大風(fēng)險

  當(dāng)前市占率數(shù)據(jù)顯示，臺積電在晶圓代工領(lǐng)域已形成絕對優(yōu)勢（2025Q2市場份額達(dá)62.9%），其3nm制程量產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競爭對手約18個月。而三星雖在HBM存儲芯片領(lǐng)域暫時落后SK海力士，卻仍堅持通過光刻機(jī)技術(shù)迭代實現(xiàn)反超——2025年第三季度財報顯示，其華城工廠2nm GAA工藝良率已提升至75%，接近量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

  這種"高風(fēng)險、高投入"的研發(fā)策略背后，折射出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的殘酷現(xiàn)實：若無法在1.4nm節(jié)點實現(xiàn)技術(shù)突破并獲得客戶訂單，三星可能面臨與臺積電代差持續(xù)擴(kuò)大的危機(jī)。據(jù)內(nèi)部測算，每延遲6個月完成光刻機(jī)量產(chǎn)導(dǎo)入，將導(dǎo)致其先進(jìn)制程市場份額減少2-3個百分點。

  四、設(shè)備供應(yīng)商戰(zhàn)略地位強(qiáng)化：ASML供應(yīng)鏈話語權(quán)提升

  隨著高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)成為技術(shù)競賽核心，上游設(shè)備商的議價能力顯著增強(qiáng)。數(shù)據(jù)顯示，ASML 2025上半年EUV設(shè)備訂單量同比增長47%，其中亞太地區(qū)客戶占比達(dá)68%。這種需求爆發(fā)直接推升了相關(guān)零部件供應(yīng)商（如蔡司光學(xué)系統(tǒng)、東京電子工藝設(shè)備）的技術(shù)溢價空間。

  值得注意的是，光刻機(jī)維護(hù)成本呈指數(shù)級增長趨勢：相較于前代DUV機(jī)型，最新一代EUV設(shè)備的年均維護(hù)費用增加200%，且關(guān)鍵備件交付周期延長至18個月以上。這對依賴進(jìn)口技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)而言，構(gòu)成了新的運營風(fēng)險。

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  在2025年的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，光刻機(jī)不僅是先進(jìn)制程突破的技術(shù)載體，更演變?yōu)楹饬慨a(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)的核心指標(biāo)。韓國企業(yè)的激進(jìn)投資策略與政策扶持形成合力，試圖通過高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備的密集部署，在1.4nm時代實現(xiàn)技術(shù)反超。然而隨著單臺設(shè)備成本攀升至4億美元量級，如何平衡研發(fā)強(qiáng)度與財務(wù)風(fēng)險將成為決定競爭成敗的關(guān)鍵變量。未來三年內(nèi)，光刻機(jī)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性、量產(chǎn)良率提升速度以及材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，將共同塑造全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新格局。

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