中國(guó)報(bào)告大廳網(wǎng)訊，在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，閃存作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的關(guān)鍵載體，其行業(yè)動(dòng)態(tài)備受關(guān)注。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求呈爆炸式增長(zhǎng)，閃存作為非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，憑借其高速讀寫、低功耗、高可靠性和體積小等優(yōu)勢(shì)，成為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心存儲(chǔ)方案。以下是2025年閃存行業(yè)發(fā)展分析。
閃存技術(shù)的進(jìn)化不僅是存儲(chǔ)介質(zhì)的迭代，更是數(shù)字化社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游為半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備及晶圓制造;中游為各類存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，可分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片;下游應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、汽車電子、高新科技、信息通信、物聯(lián)網(wǎng)等?，F(xiàn)從三大方面來分析2025年閃存行業(yè)發(fā)展分析。
存儲(chǔ)芯片，也叫存儲(chǔ)器，是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。《2025-2030年中國(guó)閃存市場(chǎng)專題研究及市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)評(píng)估報(bào)告》根據(jù)斷電后數(shù)據(jù)是否被保存，可分為 ROM(非易失性存儲(chǔ)芯片)和RAM(易失性存儲(chǔ)芯片)，即閃存和內(nèi)存，其中閃存包括NAND Flash和NOR Flash，內(nèi)存主要為DRAM。
2025年閃存市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出復(fù)雜的變化態(tài)勢(shì)。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2024年全球NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)700億美元，容量達(dá)8330億GB。進(jìn)入2025年，盡管市場(chǎng)需求有所波動(dòng)，但整體規(guī)模仍在持續(xù)擴(kuò)張。在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，由于數(shù)據(jù)中心建設(shè)的持續(xù)推進(jìn)以及 AI 應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的激增，帶動(dòng)了對(duì)大容量、高性能閃存產(chǎn)品的采購(gòu)。例如，數(shù)據(jù)中心為滿足海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與快速讀寫需求，不斷升級(jí)其存儲(chǔ)設(shè)備，對(duì)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)的需求大幅增長(zhǎng)。而在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，智能手機(jī)、PC 等設(shè)備對(duì)閃存的需求雖增長(zhǎng)放緩，但隨著新興智能設(shè)備的普及，如智能穿戴設(shè)備、智能家居等，為閃存市場(chǎng)注入了新的活力。不過，受全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)以及部分終端市場(chǎng)需求疲軟的影響，閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度較預(yù)期有所放緩，預(yù)計(jì)2025年全年市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)率將維持在個(gè)位數(shù)水平。
供給側(cè)調(diào)整：面對(duì)市場(chǎng)需求的不確定性以及價(jià)格壓力，閃存制造商紛紛在2025年采取減產(chǎn)措施。三星、SK 海力士、美光等行業(yè)巨頭均執(zhí)行了減產(chǎn)計(jì)劃，通過降低產(chǎn)線利用率和延遲工藝升級(jí)等方式削減產(chǎn)量。三星削減了西安工廠的 NAND 閃存產(chǎn)量，減少幅度在 10% 以上，同時(shí)調(diào)低了韓國(guó)華城部分生產(chǎn)線的產(chǎn)量 。這一方面是為了緩解市場(chǎng)供過于求的局面，穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格;另一方面，也是為了將產(chǎn)能向高毛利產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，如高帶寬內(nèi)存(HBM)等新興產(chǎn)品。此外，隨著技術(shù)的發(fā)展，部分舊的 NAND 閃存生產(chǎn)線正逐步升級(jí)到更先進(jìn)的工藝，這也在一定程度上影響了當(dāng)前的產(chǎn)能供給。
需求側(cè)分化：從需求端來看，不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹂W存的需求呈現(xiàn)出明顯的分化態(tài)勢(shì)。在 AI 領(lǐng)域，對(duì)閃存的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。AI 大模型的訓(xùn)練需要大量數(shù)據(jù)，對(duì)數(shù)據(jù)讀寫速度、帶寬、功耗提出了極高要求，企業(yè)級(jí) SSD 成為 AI 公司的首選 。而在智能手機(jī)和筆記本電腦等傳統(tǒng)消費(fèi)電子領(lǐng)域，需求增長(zhǎng)乏力。智能手機(jī)市場(chǎng)下半年展望不明，出貨量增長(zhǎng)受限，導(dǎo)致對(duì)移動(dòng)端 eMMC / UFS 閃存的需求增長(zhǎng)緩慢 。PC 市場(chǎng)也面臨類似情況，盡管 Windows 10 EOL 可能激起一波換機(jī)潮，但整體市場(chǎng)需求仍較為疲軟。不過，隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的廣泛應(yīng)用，智能家電、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)終端等設(shè)備對(duì)閃存的需求正在穩(wěn)步上升，成為需求側(cè)的一個(gè)新亮點(diǎn)。
2025年閃存產(chǎn)品價(jià)格經(jīng)歷了先抑后揚(yáng)的過程。年初，由于市場(chǎng)供過于求，NAND 閃存價(jià)格延續(xù)了 2024 年第三季度以來的下降趨勢(shì)，廠商對(duì)上半年需求持悲觀態(tài)度，價(jià)格持續(xù)走低。但隨著減產(chǎn)措施的逐步實(shí)施以及部分應(yīng)用領(lǐng)域需求的回升，從第二季度開始，價(jià)格逐漸企穩(wěn)。到了第三季度，市場(chǎng)供需失衡情況明顯改善，據(jù)預(yù)測(cè)，NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)品的平均合約價(jià)將環(huán)比增長(zhǎng) 5 - 10% 。其中，客戶端固態(tài)硬盤因庫(kù)存回補(bǔ)以及大容量 QLC 產(chǎn)品的推動(dòng)，合約價(jià)將在本季度環(huán)比提升 3 - 8%;企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤在英偉達(dá) Blackwell 平臺(tái)出貨量增加的帶動(dòng)下，需求上漲，價(jià)格漲幅在 5 - 10% 。不過，移動(dòng)端的 eMMC / UFS 由于智能手機(jī)市場(chǎng)的不確定性，漲幅僅 0 - 5% 。閃存晶圓價(jià)格也在三季度出現(xiàn) 8 - 13% 的提升 。預(yù)計(jì)在未來一段時(shí)間內(nèi)，閃存價(jià)格將在供需關(guān)系的動(dòng)態(tài)平衡中保持相對(duì)穩(wěn)定，但仍存在因市場(chǎng)突發(fā)因素而波動(dòng)的可能。
高堆疊層數(shù)發(fā)展：為了提升閃存芯片的容量密度并降低成本，各大廠商在 2025 年加速推進(jìn) NAND 閃存的高堆疊層數(shù)技術(shù)。三星、SK 海力士等企業(yè)均公布了 300 + 堆疊層數(shù) NAND 產(chǎn)品，預(yù)計(jì) 2025 年 NAND 將全面進(jìn)入 300 + 層數(shù)時(shí)代 。一些企業(yè)甚至爆出了 400 + 層數(shù)的 NAND 研發(fā)成果。例如，更高堆疊層數(shù)的 NAND 芯片能夠在單位面積內(nèi)集成更多的存儲(chǔ)單元，從而有效提高存儲(chǔ)容量。以三星為例，其新型號(hào)的 300 + 層 NAND 閃存產(chǎn)品相比之前的產(chǎn)品，容量密度提升了數(shù)倍，在滿足數(shù)據(jù)中心等對(duì)大容量存儲(chǔ)需求的同時(shí)，降低了單位存儲(chǔ)成本，增強(qiáng)了產(chǎn)品在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。這種高堆疊層數(shù)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)有望在未來進(jìn)一步延續(xù)，推動(dòng)閃存行業(yè)邁向更高的存儲(chǔ)密度時(shí)代。
制程工藝優(yōu)化：除了堆疊層數(shù)的提升，閃存行業(yè)芯片的制程工藝也在不斷優(yōu)化。先進(jìn)的制程工藝能夠提高芯片的性能和可靠性，降低功耗。各大閃存制造商紛紛投入研發(fā)資源，將更先進(jìn)的制程工藝應(yīng)用于閃存芯片生產(chǎn)。通過采用更先進(jìn)的光刻技術(shù)、優(yōu)化芯片架構(gòu)等手段，閃存芯片的讀寫速度得到顯著提升，同時(shí)功耗進(jìn)一步降低。這不僅有助于提升閃存產(chǎn)品在高性能計(jì)算、AI 等領(lǐng)域的應(yīng)用表現(xiàn)，還能滿足移動(dòng)設(shè)備等對(duì)低功耗存儲(chǔ)的需求。例如，某閃存廠商通過優(yōu)化制程工藝，使其生產(chǎn)的閃存芯片在讀寫速度上提升了 20% 以上，而功耗降低了15%左右，為產(chǎn)品在市場(chǎng)上贏得了技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
QLC 閃存的普及與改進(jìn)：在 2025 年，QLC 閃存因其成本優(yōu)勢(shì)受到了廣泛關(guān)注。隨著大容量存儲(chǔ)需求的增加，QLC 時(shí)代提前到來，2024 年甚至出現(xiàn)了供不應(yīng)求的情況，32TB 大容量企業(yè)級(jí) SSD 已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)，64TB 和 128TB 容量的 QLC 企業(yè)級(jí) SSD 需求量也在增加，預(yù)計(jì) 2025 年 QLC SSD 將有 45% 的產(chǎn)能應(yīng)用在服務(wù)器上 。盡管從 SLC 到 MLC，再到 TLC，最終到 QLC，SSD 的性能一直在下降，但隨著技術(shù)的演變，2025 年 QLC SSD 的速度已經(jīng)比 2017 年的 TLC SSD 快很多了，如今 QLC SSD 的順序讀寫速度可達(dá) 7000MB/s 左右，能夠滿足 AI 大模型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和調(diào)用的要求 。為了進(jìn)一步提升 QLC 閃存的性能，廠商們不斷進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)，如優(yōu)化閃存顆粒的制造工藝、改進(jìn)主控芯片的算法等，以提高 QLC 閃存的可靠性和讀寫速度，使其在成本優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，更好地滿足市場(chǎng)對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)的需求。
其他新興閃存技術(shù)研究：除了 QLC 閃存，行業(yè)內(nèi)還在積極探索其他新興閃存技術(shù)，如 3D XPoint 技術(shù)、MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等。3D XPoint 技術(shù)具有高速讀寫、高耐用性等特點(diǎn)，有望在高端存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，為數(shù)據(jù)中心提供更快的數(shù)據(jù)訪問速度和更高的存儲(chǔ)性能。MRAM 則利用磁性材料的特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，具有非易失性、高速讀寫、低功耗等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為在未來的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。雖然這些新興技術(shù)目前仍處于研發(fā)或小范圍應(yīng)用階段，但它們代表了閃存技術(shù)未來的發(fā)展方向，一旦取得突破并實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，將對(duì)閃存行業(yè)的格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
提升讀寫性能與能效：主控芯片作為閃存存儲(chǔ)設(shè)備的核心組件，其技術(shù)升級(jí)對(duì)于提升整體性能至關(guān)重要。在2025年，各大主控芯片廠商不斷投入研發(fā)，致力于提升主控芯片的讀寫性能和能效。聯(lián)蕓科技依靠 Agile ECC + QLC 算法，構(gòu)建了高能效主控芯片開發(fā)平臺(tái)，從而開發(fā)出了 MAP1802 和 MAP1806 兩款具備高性能、大容量、低功耗特性的主控芯片 。這些主控芯片能夠有效提升閃存存儲(chǔ)設(shè)備的順序讀寫速度和隨機(jī)讀寫性能，同時(shí)降低功耗，提高存儲(chǔ)設(shè)備的整體能效。例如，搭載這些主控芯片的 SSD 在順序讀取速度上相比傳統(tǒng)產(chǎn)品提升了 30% 以上，而功耗降低了 20% 左右，為用戶帶來了更高效、更節(jié)能的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
適應(yīng)新型閃存技術(shù)與接口標(biāo)準(zhǔn)：隨著新型閃存技術(shù)的不斷涌現(xiàn)以及接口標(biāo)準(zhǔn)的更新?lián)Q代，主控芯片也需要不斷升級(jí)以適應(yīng)這些變化。在2025年，主控芯片廠商積極研發(fā)能夠支持高堆疊層數(shù) NAND 閃存、QLC 閃存等新型閃存技術(shù)的主控產(chǎn)品，同時(shí)確保主控芯片與 PCIe 5.0、NVMe 2.0 等最新接口標(biāo)準(zhǔn)的兼容性。例如，慧榮科技推出的面向企業(yè)級(jí) AI SSD 的高性能主控 SM8366，支持 PCIe 5.0 x4 和雙端口，支持 NVMe 2.0、OCP 2.0 規(guī)范，最高支持 128TB QLC 大容量，能夠充分發(fā)揮新型閃存技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，滿足企業(yè)級(jí) AI 應(yīng)用對(duì)高速、大容量存儲(chǔ)的需求 。這種與新型閃存技術(shù)和接口標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)同發(fā)展，有助于推動(dòng)整個(gè)閃存存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品升級(jí)。
支撐海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理：在數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算領(lǐng)域，閃存的重要性日益凸顯。隨著互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展以及數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，數(shù)據(jù)中心需要存儲(chǔ)和處理海量的數(shù)據(jù)。閃存憑借其高速讀寫、低延遲等特性，成為滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪問要求的理想選擇。企業(yè)級(jí) SSD 在數(shù)據(jù)中心中廣泛應(yīng)用，用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序以及大量的用戶數(shù)據(jù)。例如，大型互聯(lián)網(wǎng)公司的數(shù)據(jù)中心采用高性能的企業(yè)級(jí) SSD 陣列，能夠快速響應(yīng)用戶的請(qǐng)求，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速讀寫，大大提高了數(shù)據(jù)處理效率。同時(shí)，閃存的大容量特性也使得數(shù)據(jù)中心能夠存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，滿足企業(yè)不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在 2025 年，數(shù)據(jù)中心對(duì)企業(yè)級(jí)閃存存儲(chǔ)設(shè)備的采購(gòu)量相比上一年增長(zhǎng)了 20% 以上，預(yù)計(jì)未來幾年仍將保持較高的增長(zhǎng)率。
助力 AI 與大數(shù)據(jù)分析：AI 和大數(shù)據(jù)分析在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用不斷深入，對(duì)閃存的性能提出了更高的要求。AI 大模型的訓(xùn)練需要頻繁地讀取和寫入大量的數(shù)據(jù)，對(duì)數(shù)據(jù)讀寫速度和帶寬要求極高。閃存技術(shù)能夠滿足 AI 大模型訓(xùn)練對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和調(diào)用的需求，大大縮短了模型訓(xùn)練的時(shí)間。在大數(shù)據(jù)分析場(chǎng)景中，閃存的高速讀寫性能也有助于快速檢索和分析海量的數(shù)據(jù)，為企業(yè)決策提供支持。例如，某 AI 研究機(jī)構(gòu)在采用基于閃存的存儲(chǔ)設(shè)備后，其 AI 模型訓(xùn)練時(shí)間縮短了 30% 以上，大大提高了研究效率。隨著 AI 和大數(shù)據(jù)分析在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用不斷拓展，閃存作為關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù)，將繼續(xù)發(fā)揮重要作用，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
智能手機(jī)與 PC 的閃存應(yīng)用變革：在智能手機(jī)和 PC 領(lǐng)域，閃存仍然是重要的存儲(chǔ)組件。隨著智能手機(jī)功能的不斷豐富，對(duì)閃存的容量和性能要求也越來越高。2025年，高端智能手機(jī)普遍采用了 UFS 4.1 等高速閃存技術(shù)，順序?qū)懭胨俣瓤蛇_(dá) 4200MB/s，順序讀取速度可達(dá) 4350MB/s，能夠快速存儲(chǔ)和讀取高清視頻、大型游戲等數(shù)據(jù)，提升了用戶體驗(yàn) 。在PC領(lǐng)域，隨著 AI PC 的發(fā)展，對(duì)閃存的性能和容量也提出了新的要求。AI PC 需要更快的存儲(chǔ)速度來支持 AI 應(yīng)用的運(yùn)行，預(yù)計(jì) 2025年AI PC 將占 PC 出貨總量的 43%，并且比當(dāng)前普通 PC 高出 80% 以上 DRAM 容量 。然而，智能手機(jī)和 PC 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，市場(chǎng)需求增長(zhǎng)放緩，對(duì)閃存廠商來說，如何在滿足產(chǎn)品性能要求的同時(shí)，降低成本，成為面臨的挑戰(zhàn)之一。
新興智能設(shè)備的閃存需求增長(zhǎng)：除了智能手機(jī)和 PC，新興智能設(shè)備如智能穿戴設(shè)備、智能家居等的興起，為閃存市場(chǎng)帶來了新的機(jī)遇。智能手表、智能手環(huán)等智能穿戴設(shè)備需要閃存來存儲(chǔ)用戶的健康數(shù)據(jù)、運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)等，對(duì)閃存的容量和功耗有較高要求。智能家居設(shè)備如智能音箱、智能攝像頭等也需要閃存來存儲(chǔ)音頻、視頻數(shù)據(jù)以及設(shè)備配置信息等。這些新興智能設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，對(duì)閃存的需求也在持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2025年，新興智能設(shè)備對(duì)閃存的需求量將占消費(fèi)級(jí)閃存市場(chǎng)的 20% 以上，成為閃存市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。閃存廠商需要針對(duì)這些新興智能設(shè)備的特點(diǎn)，開發(fā)出更適合的閃存產(chǎn)品，滿足其對(duì)存儲(chǔ)容量、性能和功耗的要求。
智能駕駛與車聯(lián)網(wǎng)的存儲(chǔ)需求：隨著汽車智能化的發(fā)展，智能駕駛和車聯(lián)網(wǎng)成為汽車領(lǐng)域的重要發(fā)展方向，這也為閃存帶來了新興的應(yīng)用場(chǎng)景。在智能駕駛方面，車輛需要存儲(chǔ)大量的傳感器數(shù)據(jù)、地圖數(shù)據(jù)以及駕駛決策算法等，對(duì)閃存的存儲(chǔ)容量和讀寫速度要求極高。例如，自動(dòng)駕駛汽車的攝像頭、雷達(dá)等傳感器每秒會(huì)產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)，需要高速、大容量的閃存來存儲(chǔ)和處理這些數(shù)據(jù)，以支持車輛的自動(dòng)駕駛決策。在車聯(lián)網(wǎng)方面，車輛需要與外界進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，如下載地圖更新、上傳車輛狀態(tài)信息等，這也需要可靠的閃存存儲(chǔ)來保障數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)和快速傳輸。預(yù)計(jì)到2025年底，智能駕駛和車聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的汽車閃存市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到數(shù)十億美元，并且在未來幾年內(nèi)保持高速增長(zhǎng)。
汽車電子系統(tǒng)對(duì)閃存可靠性的要求：汽車電子系統(tǒng)的工作環(huán)境復(fù)雜，對(duì)閃存的可靠性提出了極高的要求。閃存需要在高溫、低溫、高濕度以及強(qiáng)電磁干擾等惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。為了滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)閃存可靠性的要求，閃存廠商在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造過程中采用了一系列特殊的技術(shù)和工藝。例如，采用特殊的封裝技術(shù)來提高閃存芯片的抗沖擊和抗振動(dòng)能力，優(yōu)化芯片的電路設(shè)計(jì)來增強(qiáng)其抗電磁干擾能力，同時(shí)通過嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)流程，確保產(chǎn)品在各種惡劣環(huán)境下的可靠性。隨著汽車智能化程度的不斷提高，汽車電子系統(tǒng)對(duì)閃存的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，閃存廠商需要不斷提升產(chǎn)品的可靠性和性能，以滿足汽車行業(yè)的嚴(yán)格要求。
綜上，閃存行業(yè)正處于性能提升與成本優(yōu)化的關(guān)鍵階段，技術(shù)迭代、地緣博弈和需求變革將持續(xù)重塑競(jìng)爭(zhēng)格局。未來，閃存行業(yè)的發(fā)展將圍繞技術(shù)創(chuàng)新和多元化應(yīng)用展開。一方面，QLC(四層單元)和PLC(五層單元)技術(shù)的商業(yè)化將進(jìn)一步提升存儲(chǔ)容量，而SCM(存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存)等新型架構(gòu)有望填補(bǔ)DRAM與NAND之間的性能鴻溝。另一方面，邊緣計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛等新興場(chǎng)景將持續(xù)催生定制化存儲(chǔ)解決方案的需求。
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