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中國存儲廠商加速追趕:三星LPDDR6研發(fā)提速應(yīng)對挑戰(zhàn)

2025-06-07 11:00:12 報告大廳(m.74cssc.cn) 字號: T| T
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  中國報告大廳網(wǎng)訊,2025年全球內(nèi)存技術(shù)競爭進入新階段。隨著長鑫存儲成功完成LPDDR5X內(nèi)存開發(fā)并計劃于2026年啟動下一代LPDDR6量產(chǎn),國際頭部企業(yè)正加速布局更先進制程工藝。韓國三星電子為鞏固市場優(yōu)勢,在今年下半年全面提速其基于1c DRAM工藝的LPDDR6芯片研發(fā)進程,并預(yù)計與高通等合作伙伴在移動計算領(lǐng)域展開深度合作。這一系列技術(shù)動態(tài)不僅重塑了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)格局,也折射出AI、自動駕駛等新興應(yīng)用對高性能存儲解決方案的需求升級。

  一、中國廠商突破引發(fā)行業(yè)震動

  中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年中國內(nèi)存行業(yè)發(fā)展趨勢分析與未來投資研究報告》指出,長鑫存儲(CXMT)近期完成LPDDR5X內(nèi)存芯片的開發(fā)階段,成為繼三星之后全球第二家掌握該技術(shù)的企業(yè)。這一里程碑標志著中國企業(yè)首次在高端移動內(nèi)存領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主化。據(jù)產(chǎn)業(yè)觀察顯示,其研發(fā)路線已明確指向2026年啟動LPDDR6量產(chǎn)計劃,較國際頭部廠商僅晚1-2個季度窗口期。分析指出,長鑫的快速追趕策略正倒逼三星提前布局技術(shù)代際更替,推動行業(yè)整體創(chuàng)新節(jié)奏加速。

  二、三星以工藝迭代構(gòu)建競爭壁壘

  面對中國對手的技術(shù)逼近,三星電子已啟動基于"1c DRAM"制程工藝的LPDDR6芯片研發(fā)。該工藝代表DRAM制造領(lǐng)域的第六代技術(shù)標準,在單位面積晶體管密度與能效比上較前代實現(xiàn)突破性提升。據(jù)供應(yīng)鏈信息,采用1c工藝的LPDDR6內(nèi)存將在明年下半年進入量產(chǎn)階段,并計劃于2025年9月隨高通驍龍8 Elite Gen 2 SoC同步上市。該芯片將支持每秒最高8.533GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,在降低功耗的同時實現(xiàn)帶寬提升40%。

  三、技術(shù)升級瞄準多領(lǐng)域應(yīng)用需求

  新一代內(nèi)存標準的落地正與產(chǎn)業(yè)變革同頻共振。三星1c DRAM工藝制造的LPDDR6芯片,其低電壓特性可使移動設(shè)備續(xù)航延長約25%,這對AI終端、智能汽車等高算力場景至關(guān)重要。據(jù)行業(yè)預(yù)測,在自動駕駛L4級系統(tǒng)中,新型內(nèi)存將支撐每秒數(shù)TB級數(shù)據(jù)處理需求;在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,單條內(nèi)存帶寬提升預(yù)計可降低18%的服務(wù)器能耗成本。

  四、市場格局面臨重構(gòu)與洗牌

  當前全球DRAM市場正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性調(diào)整。長鑫存儲通過持續(xù)技術(shù)攻堅,已占據(jù)中國本土超過30%的服務(wù)器內(nèi)存市場份額,并計劃未來三年內(nèi)將移動內(nèi)存產(chǎn)品線擴展至旗艦機型應(yīng)用領(lǐng)域。三星為維持其近45%的全球市占率,不僅加速工藝迭代,更與高通等關(guān)鍵客戶建立聯(lián)合研發(fā)機制。值得注意的是,隨著LPDDR6標準成為2026年高端芯片標配,未參與本輪技術(shù)競賽的企業(yè)將面臨被淘汰風險。

  結(jié)語:技術(shù)代差決定產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

  從長鑫的后發(fā)趕超到三星的技術(shù)護城河構(gòu)建,內(nèi)存領(lǐng)域的競爭已進入"納米級工藝+生態(tài)綁定"的新維度。1c DRAM工藝的量產(chǎn)進程不僅關(guān)乎企業(yè)短期營收,更將定義未來五年AI芯片、智能汽車等萬億市場規(guī)模的核心供應(yīng)鏈格局。當中國廠商首次在高端存儲賽道獲得與國際巨頭同臺競技的能力時,這場技術(shù)軍備競賽的結(jié)果或?qū)⒅厮苋虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖。(數(shù)據(jù)截止時間:2025年6月)

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