中國報(bào)告大廳網(wǎng)訊，導(dǎo)語

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)追求高性能與高集成度的背景下，碳化硅（SiC）憑借其卓越的熱管理性能，正成為芯片散熱領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。隨著AI芯片功率需求激增至千瓦級別，傳統(tǒng)散熱方案面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，而碳化硅基散熱技術(shù)通過降低結(jié)溫、優(yōu)化封裝尺寸等優(yōu)勢，逐步打開產(chǎn)業(yè)新空間。據(jù)行業(yè)預(yù)測，2025年全球碳化硅市場規(guī)模將突破300億美元，其中散熱應(yīng)用占比顯著提升，推動產(chǎn)業(yè)鏈從電力電子向高端芯片封裝延伸。

  一、碳化硅導(dǎo)熱性能優(yōu)勢凸顯，市場分析及碳化硅產(chǎn)業(yè)布局聚焦散熱賽道

  碳化硅材料的熱導(dǎo)率高達(dá)500W/mK，是硅的3倍以上，且其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體器件高度匹配，成為解決高功率芯片散熱瓶頸的理想選擇。近年來，頭部企業(yè)已將研發(fā)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向碳化硅在封裝領(lǐng)域的應(yīng)用：

  二、AI芯片散熱挑戰(zhàn)與碳化硅解決方案：市場分析及碳化硅產(chǎn)業(yè)布局的關(guān)鍵突破

  隨著先進(jìn)封裝技術(shù)如CoWoS持續(xù)縮小芯片集成面積，中介層的散熱能力直接決定算力輸出穩(wěn)定性。采用碳化硅基板后，單顆2500mm2的AI芯片中介層可減少襯底需求量近40%，這推動產(chǎn)業(yè)鏈加速布局：

  三、碳化硅散熱應(yīng)用擴(kuò)展：市場分析及碳化硅產(chǎn)業(yè)布局的增量空間

  碳化硅的應(yīng)用已從傳統(tǒng)電力電子領(lǐng)域向芯片封裝、熱沉散熱等新興場景延伸：

  四、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與未來展望：碳化硅市場分析及產(chǎn)業(yè)布局的關(guān)鍵路徑

  當(dāng)前，碳化硅散熱技術(shù)仍面臨襯底良率、成本控制等挑戰(zhàn)，但其在AI芯片領(lǐng)域的不可替代性已形成共識。行業(yè)預(yù)測顯示：

  碳化硅憑借其卓越的導(dǎo)熱性能與封裝適配性，正重塑芯片散熱市場的競爭格局。從AI算力核心部件到新興應(yīng)用場景的持續(xù)滲透，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已進(jìn)入規(guī)模化落地階段。隨著頭部企業(yè)加速布局、市場需求指數(shù)級增長，這一材料將在高端半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演更關(guān)鍵角色，推動全球電子產(chǎn)業(yè)向更高能效與穩(wěn)定性的方向邁進(jìn)。

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